Najrýchlejší silikónový čip sveta sa momentálne nachádza v laboratóriách Technologického Inštitútu v Georgii. Tamojší vedci v spolupráci s IBM dokázali vyrobiť funkčný prototyp čipu pracujúceho na 500 GHz (nie, to nie je preklep) vďaka zlúčenine silikónu a germánia SiGe. Čip musí byť chladení na teplotu veľmi blízku absolútnej nule, -268,65 °C je už celkom slušná „kosa“. Pri izbovej teplote je čip stále schopný pracovať na úctyhodných 350 GHz.
Vyše 111 megapixelový snímač sa zase podarilo skonštruovať združeniu DALSA. CCD zariadenie (na obrázku) má rozmery cca 4 x 4 palce a ak by sme chceli mpix prepočítať na body, dostali by sme neuveriteľné rozlíšenie 10 560 x 10 560 bodov. V digitálnych fotoaparátoch sa snímač samozrejme (tak skoro) neobjaví, ale do sýtosti si ho užijú v US Naval Observatory pri pozorovaní hviezd a iných vesmírnych objektov.
