Samsung: Miniaturizácia procesorov už takmer skončila, ďalšie zmenšenia už ponúknu len minimum výkonu

Viceprezident divízie Foundry v Samsung Electronics Shin Jong-shin upozornil, že zmenšovanie výrobných procesov už neprináša také prírastky výkonu ako kedysi.

Samotná miniaturizácia dnes podľa neho prináša len 10-15 % zlepšenie, a preto sa firma sústredí na nový prístup DTCO (Design-Technology Co-Optimization) - optimalizáciu integrácie medzi návrhom čipu a výrobným procesom.

Na seminári Semiconductor Industry-Academia-Research Exchange Workshop v Soule vysvetlil, že DTCO sa stáva kľúčovou oblasťou vývoja, pričom ju intenzívne rozvíjajú aj konkurenčné firmy ako TSMC. Cieľom je prepojiť dizajn s technológiou výroby tak, aby sa lepšie využil dostupný priestor, znížila spotreba energie a zlepšila efektivita tranzistorov.

Samsung zároveň prechádza z architektúry FinFET na Gate-All-Around (GAA), ktorá umožňuje presnejšiu kontrolu prúdu a lepší výkon pri menšej spotrebe. Firma už dokončila návrh druhej generácie 2 nm GAA procesu, pričom verzia SF2P+ sa očakáva približne do dvoch rokov.

Shin dodal, že v súčasnosti sa na celkovom zlepšení výkonu 7 nm čipov podieľal DTCO približne 10 %, no pri 3 nm a menších procesoch by mal tvoriť až 50 % zlepšení. Aj malé rozdiely - napríklad 1-2 % výkonu - sú podľa neho v polovodičovom priemysle rozhodujúce pri výbere výrobného procesu.

Samsung okrem toho využíva umelú inteligenciu na automatické vytváranie nových štruktúr buniek s cieľom zmenšiť plochu a spotrebu energie. Firma plánuje ďalej rozvíjať aj koncepty SPCO (System-Process Co-Optimization) a SDTCO (System-Design-Process Co-Optimization), ktoré majú ešte viac prepojiť vývoj systémov, dizajn a výrobu čipov.

Podľa kórejského denníka The Elec sa tak Samsung pravdepodobne sústredí na zdokonaľovanie 2 nm GAA procesu namiesto urýchlenia vývoja 1,4 nm generácie, čím chce dosiahnuť vyššiu efektivitu a stabilitu výroby.